Transistor efek-medan semikonduktor logam-oksida (MOSFET) adalah salah satu jenis transistor efek medan. Prinsip dasar perangkat ini pertama kali diusulkan oleh Julius Edgar Lilienfeld pada tahun 1925 . MOSFET mencakup kanal dari bahan semikonduktor tipe-N dan tipe-P, dan disebut NMOSFET atau PMOSFET (juga biasa nMOS, pMOS). Ini adalah transistor yang paling umum pada sirkuit digital maupun analog, namun transistor sambungan dwikutub pada satu waktu lebih umum.
Etimologi
Kata 'logam' pada nama yang sekarang digunakan sebenarnya merupakan
nama yang salah karena bahan gerbang yang dahulunya lapisan logam-oksida
sekarang telah sering digantikan dengan lapisan polisilikon (polikristalin silikon). Sebelumnya aluminium digunakan sebagai bahan gerbang sampai pada tahun 1980
-an ketika polisilikon mulai dominan dengan kemampuannya untuk
membentuk gerbang menyesuai-sendiri. Walaupun demikian, gerbang logam
sekarang digunakan kembali karena sulit untuk meningkatkan kecepatan
operasi transistor tanpa pintu logam.
IGFET adalah peranti terkait, istilah lebih umum yang berarti transistor efek-medan gerbang-terisolasi, dan hampir identik dengan MOSFET, meskipun dapat merujuk ke semua FET dengan isolator gerbang yang bukan oksida. Beberapa menggunakan IGFET ketika merujuk pada perangkat dengan gerbang polisilikon, tetapi kebanyakan masih menyebutnya MOSFET.
Sumber : id.wikipedia.org/wiki/MOSFET
Tidak ada komentar:
Posting Komentar